智能机械与光机电一体化

导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造各类功率器件。导电型6碳化硅基与传统硅基相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1%。导电型6碳化硅基较传统硅基的总能量损耗可大大降低70%。以6碳化硅模块为例，在代替传统硅基衬后，逆变器输出功率可增至2.5倍，体积缩小1.5倍。现为提高导电型碳化硅衬底的耐高压、耐高温、热损耗低的性能，需寻求相关技术型企业及研发部门合作开发高品质导电型6衬底产品（N-type）技术，并达到量化生产。

1、生产导电型碳化硅，尺寸减小至6后，电阻率无法降到传统碳化硅的1%。

2、量化生产6导电型碳化硅后，碳化硅平均总能量消耗无法降到70%以内。

3、使用导电型碳化硅6衬底产品（N-type）逆变输出功率增加较小，无法大幅度提升至2.5倍。

1、和传统方案相比，6碳化硅可以在缩减体积的基础上，降低电阻率至传统碳化硅的1%。

2、量化生产量呈逐年递增趋势，达到2023年2万片，2024年6万片，2025年7万片，在量化基础之上一定要达到碳化硅平均总能量消耗降到70%以内。

3、使用导电型碳化硅6衬底产品（N-type）逆变输出功率提升至2.5倍。