激光雷达用高导热氮化铝陶瓷封装基板研发与产业化
研发高热导率的氮化铝陶瓷材料,采用半导体制程工艺,在氮化铝陶瓷上进行图形化的电镀厚铜工艺技术开发,制备出高导热氮化铝陶瓷封装基板。通过相关的工艺技术研究,实现陶瓷表面精密线路图形制作,无氧铜分级磨抛精密加工以及电镀镍金的均匀性控制,在封装基板表面进行预置金锡工艺的开发,基于国产陶瓷封装基板完成封装可靠性验证。
需解决:
1、研发高热导率的氮化铝陶瓷材料,在氮化铝陶瓷上进行图形化的电镀厚铜工艺技术开发,制备出高导热氮化铝陶瓷封装基板。
2、镀层表面粗糙,影响成品的使用,造成一系列工艺的可控性
氮化铝陶瓷导热率:≥220W/m•K;
镀铜层厚度:75±15μm;
镀层表面粗糙度:Ra≤0.10μm;
贴片关键区域平面度:≤5μm;
镀层厚度:Ni(1~3μm),Au(0.8~1.5μm);
金锡成分/厚度:75±5wt%,4~6μm;
温度循环次数:-40~125℃ 100次;
产能目标:500万/年。
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