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针对InP激光器及探测器在5G光纤通讯以及激光通讯中的应用需求，开展4英寸、低位错InP单晶双面抛光衬底片研究，解决大容量合成计量比稳定性问题；传统VGF法不能观察、成品率低等问题；降低长工艺中覆盖剂氧化硼对晶体的扒裂作用。实现12kg级InP多晶合成工艺的稳定化，单次合成量和纯度指标均达到国际领先水平；实现4英寸N型InP单晶的可视VGF法制备技术，实现大尺寸低位错InP单晶制备成本的大幅度降低。

需解决：

1.单晶直径低于实际标准，使大容量合成计量比稳定性低

2.传统VGF法不能观察、成品率低

3.12kg级InP多晶合成工艺达不到稳定化，单次合成量和纯度指标均无法达到国际领先水平

4.表面质感有缺陷，大幅度增加了成本。

单晶直径：100±0.5mm；

位错密度≤500cm-2；

载流子浓度：（0.8～8）E18cm-3；

厚度：625±20μm；

晶向：<100>±0.1°；

总厚度变化≤8μm；

翘曲度≤10μm；

总指示度数≤5μm；

表面粗糙度≤0.3nm；

表面质量：双面抛光，表面无划痕、崩边、沾污和雾等缺陷，Epi-ready。

实现进口替代，国内领先。年产能4000片，相关产品销售收入2000万元。