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针对通信设备不同应用场景对电源管理芯片的需求，开展系列化稳压芯片和驱动芯片研制，通过优化电路结构设计，实现具有高开关速度、低输出电容、低噪声以及高PSRR稳压芯片；突破低功耗驱动技术、高压高速电平转移技术、高低侧输出死区时间控制等技术，实现高速低功耗驱动芯片。

需解决：需要突破低功耗驱动技术、高压高速电平转移技术、高低侧输出死区时间控制等技术，实现高速低功耗驱动芯片。

低压稳压芯片：电源电压3.8～5.5V；输出电压3.3V；使能开关速度≤20us；电流能力20mA；

中高压稳压芯片：电源电压6.5～16V；输出电压1.5～5.1V；典型噪声10uVrms；典型PSRR≥80dB，电流能力800mA；

PMOS驱动芯片：最高电源电压80V；输入压差-10V；工作频率1MHz；传输延时小于20ns。

NMOS驱动芯片：最高自举电压200V；最高工作频率1MHz；传输延时小于20ns。

PIN驱动芯片：最高工作电压-60V；最高工作频率10MHz；传输延时时间小于10ns。

产品可替代国外同类型产品，达到国内领先水平。年产能10万颗，相关产品销售收入800万元。