多晶硅打压用单相干式变流变压器
采用静电屏蔽层，消除了静电耦合作用，减缓低压侧可控硅导通（换挡）时对高压侧输出电压的影响，增强设备运行的可靠性；设计的压器低压绕组四个档位、高压绕组两个档位，通过调整高、低压档位使输出电压增加到八种，满足多晶硅打压使用的要求；通过触发脉冲控制双向可控硅逐渐导通，消除送电（合闸）励磁涌流。
人才需求（希望合作的领域专家）：变压器方面专家。
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