芯片等检测技术；研发氮化镓芯片集成工艺和封测设备开发研究
需求简述：开发COC、RF、硅光芯片等检测技术； 研发氮化镓光电子材料、器件与芯片设计和制造工艺，开展多芯片集成工艺和封测设备开发研究 功能要求：EDFA直接替代；光纤激光器直接替代 • 数据中心光模块光放大 • 接入网及城域网光放大 • 光互连 主要指标 尺寸：芯片<1cm2 （比EDFA小几个数量级） 成本：比EDFA低两个数量级
1、氮化镓功率器件 2、氧化镓功率器件 3、其他宽禁带功率器件 4、单芯片集成技术 5、多芯片集成技术 6、芯片散热技术 7、射频功率芯片技术 8、能量收集技术
氮化镓技术及产业链已经初步形成,相关器件快速发展。第三代半导体氮化镓产业范围涵盖氮化镓单晶衬底、半导体器件芯片设计、制造、封测以及芯片等主要应用场景
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