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碳化硅(SiC)是继第一代半导体材料硅和第二代半导体材料砷化镓(GaAs)后发展起来的第三代半导体材料.由于SiC具有宽带隙,高临界击穿电场,高热导牢,高载流子饱和浓度等特点,使得它在军用和航天领域的高温,高频,大功牢光电器件方面具有优越的应用价值,并逐步取代现有的硅和砷化镓基光电器件.

碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料,由于其卓越的性能,可用于制作工作在极限条件下的半导体器件和电路,例如在高频,高温,大功率等方面都有广泛应用.但目前碳化硅晶体中存在的各种缺陷则成为材料发展的羁绊,所以对碳化硅晶体缺陷的研究也是改善晶体质量的一个重要环节.

希望高校专家能帮助解决半导体材料碳化硅单晶的研制、生产，从工艺装备的基础做起，打破国外的限制和封锁，掌握真正的核心技术。