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本发明涉及一种含锗烟尘中提取锗的方法，属于化学冶金的技术领域。本发明的方法以褐煤干馏得到的锗含量为8.0~30.0wt%的含锗烟尘为原料进行提取，所述方法包括对含锗烟尘进行浸出蒸馏；对得到的含四氯化锗的气体进行冷却得到粗四氯化锗溶液；对粗四氯化锗液进行第一次萃取；将第一次萃取得到的四氯化锗溶液利用分离柱进行过滤；将得到的四氯化锗溶液进行第二次萃取并得到精制四氯化锗溶液；将得到的精制四氯化锗溶液水解成二氧化锗并还原为锗。本发明的工艺过程易于控制、可操作性强，且锗回收率稳定，而且成本相对于连续蒸馏或连续萃取工艺显著降低，锗的纯度可以达到99.999%以上，电阻率为15Ωcm以上。

锗，就其导电的本领而言，优于一般非金属，劣于一般金属，这在物理学上称为“半导体”，对固体物理和固体电子学的发展有重要作用。例如世界上第一个集成电路就是以锗为基体制成的，随之锗作为半导体材料，锗的冶金技术和提纯技术也得到了迅速发展。锗在地壳中的含量为7ppm，其丰度要高于碘、银、金、砷、铀、汞等多种元素。然而，几乎没有比较集中的锗矿，锗却非常分散，因此，被人们称为“稀散金属”。锗通常夹杂在许多铅矿、铜矿、铁矿、银矿中，就连一吨煤中平均就含有10克左右的锗。近代工业生产主要以硫化锌矿、煤以及冶金废料或烟道灰尘中回收。20世纪60年代以后，虽然硅逐渐取代了锗在半导体工业中的统治地位，但由于锗的电子迁移率比硅高，强度比硅好，因此在高频、航空航天以及远红外领域中锗仍然占据主导地位，尤其是近年来锗在辐射探测器、夜视仪、太阳能电池以及光导纤维等领域的应用迅速发展，目前年消耗量达到120t以上。随着锗用途的不断扩大，对锗，例如四氯化锗的纯度要求也越来越高，现有技术中通常采用萃取、浸出蒸馏工艺，虽然该处理方法能够获得高纯度的四氯化锗，但由于采用了多级蒸馏方法，不仅操作困难，而且生产效率较低，处理费用较高。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

本发明所述的工艺过程易于控制、可操作性强，而且锗回收率稳定，回收得到的锗纯度高，而且成本相对于连续蒸馏或连续萃取工艺显著降低。从含锗烟尘到二氧化锗过程中的回收率可以达到95.0%以上，锗的纯度可以达到99.999%以上，电阻率为15 Ωcm以上。