本发明提供了一种铌酸银基无铅反铁电储能薄膜及其制备方法，采用磁控溅射法在基片上外延生长一层La0.5Sr0.5CoO3薄膜底电极，然后采用脉冲激光沉积法在所述La0.5Sr0.5CoO3薄膜底电极上外延生长一层AgNbO3薄膜，之后在所述AgNbO3薄膜上生长一层La0.5Sr0.5CoO3薄膜上电极，最后在La0.5Sr0.5CoO3薄膜上电极上制备一层金属膜电极；其中，所述AgNbO3薄膜的厚度为100~800nm。本发明采用脉冲激光沉积技术使ANO薄膜外延生长在LSCO底电极上，相比于ANO块材，ANO外延薄膜的介电击穿强度和储能密度得到显著提高。同时极大的减小了ANO的使用成本以及占用空间，使其在大规模集成电路中有广泛的应用潜力。

科技的发展对电子器件存储、吸收和提供电力的要求日渐提高。根据储能时间的长短，商业储能设备可分为长期储能设备和短期储能设备两类。通常来说，电池属于长期储能设备，电容器属于短期储能设备。电池具有高能量密度(10300Wh/kg)，但由于载流子移~动缓慢，其功率密度很低(通常低于500W/kg)，因此电池主要用于长期稳定的能量供应。而1 6 8电容器通常具有高功率密度(电化学超级电容器达10 10W/kg和介电电容器可达10W/kg)~和低能量密度(一般低于30Wh/kg)，常被用来产生脉冲电压或电流。