先进制造技术

本发明公开了一种基于二氧化硅隧道结的阻变存储器，其是在高导Si衬底上制有SiO2隧穿层，并在所述SiO2隧穿层上制有TiN电极膜层。并且，本发明还公开了该阻变存储器的制备方法，其包括如下步骤：A、将高导Si衬底进行清洗处理并吹干，备用；B、将备用的高导Si衬底放入热氧化生长炉中并通入氧气，于600±5℃条件下退火分钟，形成SiO2隧穿层；C、在形成的SiO2隧穿层上溅射TiN电极膜层。本发明的存储器的高、低阻态阻值分布集中，且高电阻值和低电阻值之间相差较大。而且，该阻变存储器具有明显的开关效应，再有，该阻变存储器在高阻态和低阻态下的抗疲劳特性均比较优异，具有良好的应用前景。

本发明通过大量的研究发现一种简单的方法能够实现器件的阻变特性，即本发明所提供的阻变存储器，基于高导Si衬底直接进行氧化生长制备二氧化硅隧穿层，最终制备出TiN/SiO2/Si(高导Si)隧道结，通过隧道结实现了阻变存储器，简化了制备工艺，降低了制备难度，节约了成本。

本发明通过控制氧化生长温度和氧化生长时间，可以得到厚度适合的SiO2隧穿层，合适的隧穿层的氧空位对器件影响很大。本发明的存储器的高、低阻态阻值分布集中，且高电阻值和低电阻值之间相差较大。而且，该阻变存储器具有明显的开关效应，再有，该阻变存储器在高阻态和低阻态下的抗疲劳特性均比较优异，具有良好的应用前景。