先进制造技术

本发明公开了一种单层MoS2的带隙调控方法，属于新型半导体材料及应用技术领域。它包括采用沉积工艺参数的差异获得不同元素含量和具备不同机械性能的TiAlSiN涂层，再将TiAlSiN涂层作为基底材料，来探讨不同Ti含量的TiAlSiN涂层对MoS2的带隙调控作用，结果发现当TiAlSiN涂层中Ti含量增加时，MoS2的带隙逐渐降低，从而实现了通过MoS2的带隙调控以增加MoS2单层的应用领域和研究范围的技术目的。

推动新型电子器件发展：通过调控单层MoS2的带隙，可以优化其电学性能，为开发高性能场效应晶体管、光电探测器等纳米电子器件提供关键技术支持，推动下一代电子器件的创新。

提升光电器件效率：带隙调控能够增强单层MoS2的光吸收和发射特性，使其在太阳能电池、发光二极管等光电器件中发挥更大作用，提高器件的光电转换效率。

本发明制备了具有不同Ti含量的TiAlSiN涂层，采用干法转移的方法将单层MoS2分别转移到TiAlSiN涂层基底上，测试了单层MoS2的光致发光光谱。实验结果表明当TiAlSiN涂层基底中Ti元素的含量增加时，MoS2的带隙逐渐降低，可以通过调节TiAlSiN涂层中Ti元素的含量实现对单层MoS2带隙的调控，增加了单层MoS2的应用领域和研究范围。