本发明是一种适用于半导体晶片化学机械抛光的磁流变弹性抛光垫，该抛光垫同时实现高效磁控抛光、高效芬顿反应，通过有机硅改性聚氨酯预聚体形成有机硅‑聚氨酯基体，结合了有机硅柔软、耐水解、耐酸碱腐蚀性和聚氨酯优异的物理机械性能的特点，具有高柔性、优异的综合力学性能。抛光垫中的CIP@Fe3O4复合磁性颗粒，可以使磁流变弹性抛光垫表现出高磁流变效应，该颗粒表面的纳米级Fe3O4具有比表面积大、催化活性高，可以实现高效芬顿反应，产生的·OH可以氧化半导体晶片表面生成硬度较低、结合力较小的氧化层，降低了磨料和抛光垫机械作用下的材料去除难度，可以实现高效材料去除、获得高质量表面。

本发明的目的在于提供一种适用于半导体晶片化学机械抛光的磁流变弹性抛光垫，进一步的，所提供的适用于半导体晶片化学机械抛光的磁流变弹性抛光垫从基体材料以及磁性颗粒两个方面都进行了特定的改进，保证该抛光垫同时实现高效磁控抛光、高效芬顿反应。即本发明还提供适用于半导体晶片化学机械抛光的磁流变弹性抛光垫的组成，进一步还提供适用于半导体晶片化学机械抛光的磁流变弹性抛光垫的制备方法以及具体的应用方法。