克服分子膜硅基掺杂中的含碳缺陷问题，研发了无缺陷态的，高电学激活率的自组装单分子膜掺杂技术

精确可控的半导体掺杂。尤其适用于超浅结掺杂、三维结构共形掺杂、无晶格损伤掺杂。例如：硅基晶体管的沟道掺杂、源区漏区掺杂、

随着硅基晶体管等半导体器件缩小至深纳米尺度，传统的离子注入掺杂难以满足器件性能需求。相对而言，分子膜掺杂在杂质定位、超浅结掺杂、三维结构共形掺杂、无晶格损伤方面具有优势，在半导体深纳米尺度的精确可控掺杂上具有巨大的应用前景。