新材料及其应用

本发明涉及胶粘剂技术领域，尤其涉及一种UV光致可剥离胶及其制备方法，该UV光致可剥离胶由丙烯酸酯共聚物基胶、聚氨酯丙烯酸酯预聚物、丙烯酸酯单体和溶剂制备得到，其中，所述丙烯酸酯共聚物基胶由过氧化苯甲酰、丙烯酸异辛酯、丙烯酸羟乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸、4‑丙烯酰氧基二苯甲酮和甲基丙烯酸缩水甘油酯改性季铵盐制备得到；所述聚氨酯丙烯酸酯预聚物由大豆油基多元醇、多异氰酸酯、二月桂酸二丁烯、对叔丁邻苯二酚和季戊四醇三丙烯酸酯制备得到。本发明提供的UV光致可剥离胶中无任何游离单体，在UV光固化前具有较高的粘合力，UV照射后残胶量低，并且具有高减粘性和强抗静电性，能够满足薄硅晶片的切割要求。

UV光致可剥离胶是一种常态提供高粘合力，UV照射后粘着力瞬间大幅度降低的一类胶粘剂，在硅晶片切割制备芯片时起到固定硅晶片的作用。在UV光固化前，UV光致可剥离胶能够提供足够高的粘合力，固定硅晶片，防止切割过程中硅晶片发生崩裂，切割完成后，在UV照射下，UV光致可剥离胶粘合力瞬间大幅度降低，硅晶片能够轻松剥离。近年来，随着半导体技术的飞速发展，硅晶片的厚度越来越薄，厚度低于100μm的硅晶片在切割和拾取过程中极易损坏，因此对UV光致可剥离胶的性能提出了更高要求。硅晶片在捡取过程中会产生静电吸附灰尘，灰尘会污染芯片，降低良率，目前常用的UV光致可剥离胶中的抗静电剂和光引发剂为小分子量物质，在体系中处于游离状态，非常容易脱落，影响抗静电性能，并且还会产生残胶，污染芯片。并且，目前现有的UV光致可剥离胶在光固化前后剥离强度均无法满足薄硅晶片的切割要求。

本发明提供的UV光致可剥离胶及其制备方法，以含光引发剂和抗静电剂的丙烯酸酯共聚物基胶、聚氨酯丙烯酸酯预聚物、多官能度丙烯酸酯单体和溶剂为原料制备UV光致可剥离胶，制备过程绿色环保，通过限定丙烯酸酯共聚物基胶与聚氨酯丙烯酸酯预聚物的用量，能够调控基胶中羟基和聚氨酯预聚物中NCO比例，进而调控网状压敏胶交联度，通过本发明的制备方法得到的UV光致可剥离胶中无任何游离单体，光固化前180°剥离强度为25～35N/25mm，光固化后180°剥离强度小于0.1N/25mm，残胶量低，并且具有较强抗静电性，能够满足薄硅晶片的切割要求。